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Electron transport properties of indium oxide - indium nitride metal-oxide-semiconductor heterostructures

Lebedev, V ; Wang, CY; Hauguth, S; Polyakov, V; Schwierz, F; Cimalla, V; Kups, T; Morales, FM; Lozano, JG; Gonzalez, D; Himmerlich, M; Schaefer, JA; Krischok, S; Ambacher, O

Tipo: Ponencia
Año de Publicación: 2008
Volumen: 5
Número: 2
Páginas: 495 - 498
Fuente Nº Citas Fecha Actualización
scopus513-04-2024
wos513-04-2024
Dimensions
PlumX
Altmetric
Agencia Código de Proyecto
Thuringen Ministerium fur Wirtschaft Technologie und Arbeit (TMWTA) within the project "INOZON"2011420176
Nota: los datos sobre financiación provienen de la WOS
# Autor Afiliación
1Lebedev, V Technische Universität Ilmenau (Germany)
2Wang, CYTechnische Universität Ilmenau (Germany)
3Hauguth, STechnische Universität Ilmenau (Germany)
4Polyakov, VTechnische Universität Ilmenau (Germany)
5Schwierz, FTechnische Universität Ilmenau (Germany)
6Cimalla, VTechnische Universität Ilmenau (Germany)
7Kups, TTechnische Universität Ilmenau (Germany)
8Morales, FMUniversidad de Cadiz (Spain)
9Lozano, JGUniversidad de Cadiz (Spain)
10Gonzalez, DUniversidad de Cadiz (Spain)
11Himmerlich, MTechnische Universität Ilmenau (Germany)
12Schaefer, JATechnische Universität Ilmenau (Germany)
13Krischok, STechnische Universität Ilmenau (Germany)
14Ambacher, OTechnische Universität Ilmenau (Germany)