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Misfit relaxation of InN quantum dots: Effect of the GaN capping layer

Lozano, JG ; Sanchez, AM; Garcia, R; Gonzalez, D; Briot, O; Ruffenach, S

Tipo: Artículo
Año de Publicación: 2006
Volumen: 88
Número: 15
Fuente Nº Citas Fecha Actualización
scopus3629-10-2024
wos4029-10-2024
Dimensions
PlumX
Altmetric

Año: 2006

Journal Impact Factor (JIF): 3.9770

CategoríaEdiciónPosiciónCuartilTercilDecil
PHYSICS, APPLIEDSCIE6/84Q1T1D1

Año: 2017

Journal Citation Indicator (JCI): 0,960

CategoríaPosiciónCuartilTercilDecilPercentil
PHYSICS, APPLIED34/165Q1T1D379,70

Año:

2011

CiteScore:

7,000

CategoríaPosiciónCuartilTercilDecil
Physics and Astronomy (miscellaneous)4/37Q1T1D2

SJR año:

2006

Factor de Impacto:

3,459

CategoríaPosiciónCuartilTercilDecil
Physics and Astronomy (miscellaneous)8/192Q1T1D1
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# Autor Afiliación
1Lozano, JG Universidad de Cadiz (Spain)
2Sanchez, AMUniversidad de Cadiz (Spain)
3Garcia, RUniversidad de Cadiz (Spain)
4Gonzalez, DUniversidad de Cadiz (Spain)
5Briot, OUniversité de Montpellier (France)
6Ruffenach, SUniversité de Montpellier (France)