Effect of dislocations on electrical and electron transport properties of InN thin films. I. Strain relief and formation of a dislocation network

La Universidad de Sevilla, como responsable de los tratamientos de datos personales que en ella se realizan, está comprometida con la protección de los datos personales incluidos en sus distintos tratamientos, como manifestación de la protección del derecho fundamental a la autodeterminación informativa de los interesados.

En aplicación del principio de transparencia y lealtad regulado en el Reglamento General de Protección de datos (RGPD UE 2016/679) se le informa que la Universidad de Sevilla es responsable del presente tratamiento denominado Gestión de la Investigación que tiene como finalidad la gestión económica, administrativa, técnica y académica de la investigación en la Universidad de Sevilla.

El tratamiento es necesario para la ejecución de un contrato en el que el interesado es parte, para el cumplimiento de una obligación legal, el cumplimiento de una misión de interés público o en el ejercicio de poderes públicos conferidos a la Universidad de Sevilla. Asimismo, y en su caso, se legitima con el consentimiento del interesado.

De acuerdo con las citadas normas, tiene derecho a acceder, rectificar y suprimir sus datos personales, así como a otros derechos que puede consultar, junto a una información adicional más detallada, en el siguiente enlace que amplía la información sobre protección de datos.