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Electronic and photoconductive properties of ultrathin InGaN photodetectors

Lebedev, V ; Polyakov, VM; Hauguth-Frank, S; Cimalla, V; Wang, CY; Ecke, G; Schwierz, F; Schober, A; Lozano, JG; Morales, FM; Gonzalez, D; Ambacher, O

Tipo: Artículo
Año de Publicación: 2008
Volumen: 103
Número: 7
Acceso abierto: Vía verde
Fuente Nº Citas Fecha Actualización
scopus1013-11-2024
wos1129-10-2024
Dimensions
PlumX
Altmetric

Año: 2008

Journal Impact Factor (JIF): 2.2010

CategoríaEdiciónPosiciónCuartilTercilDecil
PHYSICS, APPLIEDSCIE20/95Q1T1D3

Año: 2017

Journal Citation Indicator (JCI): 0,600

CategoríaPosiciónCuartilTercilDecilPercentil
PHYSICS, APPLIED65/165Q2T2D460,91

Año:

2011

CiteScore:

3,700

CategoríaPosiciónCuartilTercilDecil
General Physics and Astronomy37/190Q1T1D2

SJR año:

2008

Factor de Impacto:

1,644

CategoríaPosiciónCuartilTercilDecil
Physics and Astronomy (miscellaneous)26/204Q1T1D2
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# Autor Afiliación
1Lebedev, V Technische Universität Ilmenau (Germany)
2Polyakov, VMTechnische Universität Ilmenau (Germany)
3Hauguth-Frank, STechnische Universität Ilmenau (Germany)
4Cimalla, VTechnische Universität Ilmenau (Germany)
5Wang, CYTechnische Universität Ilmenau (Germany)
6Ecke, GTechnische Universität Ilmenau (Germany)
7Schwierz, FTechnische Universität Ilmenau (Germany)
8Schober, ATechnische Universität Ilmenau (Germany)
9Lozano, JGUniversidad de Cadiz (Spain)
10Morales, FMUniversidad de Cadiz (Spain)
11Gonzalez, DUniversidad de Cadiz (Spain)
12Ambacher, OFraunhofer Institute for Applied Solid State Physics IAF (Germany)