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360 nW Gate-Driven Ultra-Low Voltage CMOS Linear Transconductor with 1 MHz Bandwidth and Wide Input Range

Rico-Aniles, Héctor D. ; Ramírez-Angulo, Jaime; López-Martín, Antonio J.; G. Carvajal, Ramón

Tipo: Artículo
Año de Publicación: 2020
Volumen: 67
Número: 11
Número de artículo: 8964261
Páginas: 2332 - 2336
Acceso abierto: Vía verde
Fuente Nº Citas Fecha Actualización
scopus1729-10-2024
wos1429-10-2024
Dimensions
PlumX
Altmetric

Año: 2020

Journal Impact Factor (JIF): 3.2920

CategoríaEdiciónPosiciónCuartilTercilDecil
ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONICSCIE97/273Q2T2D4

Año: 2020

Journal Citation Indicator (JCI): 0,970

CategoríaPosiciónCuartilTercilDecilPercentil
ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC81/319Q2T1D374,77

Año:

2020

CiteScore:

5,500

CategoríaPosiciónCuartilTercilDecil
Electrical and Electronic Engineering149/693Q1T1D3

SJR año:

2020

Factor de Impacto:

0,799

CategoríaPosiciónCuartilTercilDecil
Electrical and Electronic Engineering128/734Q1T1D2
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Agencia Código de Proyecto
Agencia Estatal de Investigacion/Fondo Europeo de Desarrollo RegionalTEC2016-80396-C2
Mexican Consejo Nacional de Ciencia y Tecnologia for the through an Academic Scholarship408946
Nota: los datos sobre financiación provienen de la WOS
# Autor Afiliación
1Rico-Aniles, Héctor D. New Mexico State University (United States)
2Ramírez-Angulo, JaimeInstituto Nacional de Astrofisica Optica y Electronica; New Mexico State University (United States)
3López-Martín, Antonio J.Universidad Pública de Navarra (Spain)
4G. Carvajal, RamónUniversidad de Sevilla (Spain)