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Electronic and atomic structure of complex defects in Al- and Ga-highly doped ZnO films

Menéndez-Proupin, Eduardo Ariel; Palacios, P. ; Wahnon, P.

Tipo: Artículo
Año de Publicación: 2015
Volumen: 160
Páginas: 420 - 428
Acceso abierto: Vía verde
Fuente Nº Citas Fecha Actualización
scopus818-05-2024
wos818-05-2024
Dimensions
PlumX
Altmetric

Año: 2015

Journal Impact Factor (JIF): 2,101

CategoríaEdiciónPosiciónCuartilTercilDecil
MATERIALS SCIENCE, MULTIDISCIPLINARYSCIE97/271Q2T2D4

Año: 2017

Journal Citation Indicator (JCI): 0,520

CategoríaPosiciónCuartilTercilDecilPercentil
MATERIALS SCIENCE, MULTIDISCIPLINARY161/343Q2T2D553,21

Año:

2015

CiteScore:

4,100

CategoríaPosiciónCuartilTercilDecil
General Materials Science85/437Q1T1D2
Condensed Matter Physics81/401Q1T1D3

SJR año:

2015

Factor de Impacto:

0,692

CategoríaPosiciónCuartilTercilDecil
Materials Science (miscellaneous)136/516Q2T1D3
Condensed Matter Physics130/397Q2T1D4
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Agencia Código de Proyecto
European Project NANOCIS of the FP7-PEOPLE-IRSES-
MOHP (SOPHIA-project)-
Nota: los datos sobre financiación provienen de la WOS
# Autor
1Menéndez-Proupin, Eduardo Ariel
2Palacios, P. 
3Wahnon, P.