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Simulation of femtosecond pulsed laser effects on MOS electronics using TCAD Sentaurus customized models

Palomo, F. R.; Fernández-Martínez, P. ; Mogollón, J. M.; Hidalgo, S.; Aguirre, M. A.; Flores, D.; López-Calle, I.; De Agapito, J. A.

Tipo: Artículo
Año de Publicación: 2010
Volumen: 23
Número: 4-5
Páginas: 379 - 399
Fuente Nº Citas Fecha Actualización
scopus529-10-2024
wos329-10-2024
Dimensions
PlumX
Altmetric

Año: 2010

Journal Impact Factor (JIF): 0.3540

CategoríaEdiciónPosiciónCuartilTercilDecil
MATHEMATICS, INTERDISCIPLINARY APPLICATIONSSCIE88/93Q4T3D10
ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONICSCIE204/247Q4T3D9

Año: 2017

Journal Citation Indicator (JCI): 0,350

CategoríaPosiciónCuartilTercilDecilPercentil
ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC216/306Q3T3D829,58
MATHEMATICS, INTERDISCIPLINARY APPLICATIONS100/123Q4T3D919,11

Año:

2011

CiteScore:

1,100

CategoríaPosiciónCuartilTercilDecil
Electrical and Electronic Engineering314/589Q3T2D6
Modeling and Simulation127/202Q3T2D7
Computer Science Applications308/453Q3T3D7

SJR año:

2010

Factor de Impacto:

0,200

CategoríaPosiciónCuartilTercilDecil
Electrical and Electronic Engineering351/613Q3T2D6
Computer Science Applications348/498Q4T3D7
Modeling and Simulation156/214Q4T3D8
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# Autor Afiliación
1Palomo, F. R.Universidad de Sevilla (Spain)
2Fernández-Martínez, P. CSIC - Instituto de Microelectronica de Barcelona (IMB-CNM) (Spain)
3Mogollón, J. M.Universidad de Sevilla (Spain)
4Hidalgo, S.CSIC - Instituto de Microelectronica de Barcelona (IMB-CNM) (Spain)
5Aguirre, M. A.Universidad de Sevilla (Spain)
6Flores, D.CSIC - Instituto de Microelectronica de Barcelona (IMB-CNM) (Spain)
7López-Calle, I.Universidad Complutense de Madrid (Spain)
8De Agapito, J. A.Universidad Complutense de Madrid (Spain)