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A new approach to estimate the effect of single event transients in complex circuits

Aguirre, M. A.; Baena, V.; Tombs, J.; Violante, M. 

Tipo: Artículo
Año de Publicación: 2007
Volumen: 54
Número: 4
Páginas: 1018 - 1024
Fuente Nº Citas Fecha Actualización
scopus2513-11-2024
wos1913-11-2024
Dimensions
PlumX
Altmetric

Año: 2007

Journal Impact Factor (JIF): 1.1070

CategoríaEdiciónPosiciónCuartilTercilDecil
NUCLEAR SCIENCE & TECHNOLOGYSCIE5/31Q1T1D2
ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONICSCIE75/227Q2T1D4

Año: 2017

Journal Citation Indicator (JCI): 0,860

CategoríaPosiciónCuartilTercilDecilPercentil
ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC107/306Q2T2D465,20
NUCLEAR SCIENCE & TECHNOLOGY11/40Q2T1D373,75

Año:

2011

CiteScore:

3,200

CategoríaPosiciónCuartilTercilDecil
Electrical and Electronic Engineering112/589Q1T1D2
Nuclear Energy and Engineering6/48Q1T1D2
Nuclear and High Energy Physics17/58Q2T1D3

SJR año:

2007

Factor de Impacto:

0,755

CategoríaPosiciónCuartilTercilDecil
Nuclear Energy and Engineering7/55Q1T1D2
Electrical and Electronic Engineering124/529Q1T1D3
Nuclear and High Energy Physics22/56Q2T2D4
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# Autor Afiliación
1Aguirre, M. A.Universidad de Sevilla (Spain)
2Baena, V.Universidad de Sevilla (Spain)
3Tombs, J.Universidad de Sevilla (Spain)
4Violante, M. Politecnico di Torino (Italy)