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Efficient blocking of planar defects by prismatic stacking faults in semipolar (11(2)over-bar2)-GaN layers on m-sapphire by epitaxial lateral overgrowth

Lacroix, B ; Chauvat, MP; Ruterana, P; Nataf, G; de Mierry, P

Tipo: Artículo
Año de Publicación: 2011
Volumen: 98
Número: 12
Número de artículo: 121916
Fuente Nº Citas Fecha Actualización
scopus2215-06-2024
wos2215-06-2024
Dimensions
PlumX
Altmetric

Año: 2011

Journal Impact Factor (JIF): 3,844

CategoríaEdiciónPosiciónCuartilTercilDecil
PHYSICS, APPLIEDSCIE17/125Q1T1D2

Año: 2017

Journal Citation Indicator (JCI): 0,960

CategoríaPosiciónCuartilTercilDecilPercentil
PHYSICS, APPLIED34/165Q1T1D379,70

Año:

2011

CiteScore:

7,000

CategoríaPosiciónCuartilTercilDecil
Physics and Astronomy (miscellaneous)4/37Q1T1D2

SJR año:

2011

Factor de Impacto:

2,814

CategoríaPosiciónCuartilTercilDecil
Physics and Astronomy (miscellaneous)13/253Q1T1D1
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Agencia Código de Proyecto
la Region Basse Normandie-
National Research Agency (ANR)BLAN08-1_323691-COSNI
Nota: los datos sobre financiación provienen de la WOS
# Autor
1Lacroix, B 
2Chauvat, MP
3Ruterana, P
4Nataf, G
5de Mierry, P