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A mechanism for damage formation in GaN during rare earth ion implantation at medium range energy and room temperature

Ruterana, P. ; Lacroix, B.; Lorenz, K.

Tipo: Artículo
Año de Publicación: 2011
Volumen: 109
Número: 1
Número de artículo: 013506
Fuente Nº Citas Fecha Actualización
scopus5120-04-2024
wos4820-04-2024
Dimensions
PlumX
Altmetric

Año: 2011

Journal Impact Factor (JIF): 2,168

CategoríaEdiciónPosiciónCuartilTercilDecil
PHYSICS, APPLIEDSCIE37/125Q2T1D3

Año: 2017

Journal Citation Indicator (JCI): 0,600

CategoríaPosiciónCuartilTercilDecilPercentil
PHYSICS, APPLIED65/165Q2T2D460,91

Año:

2011

CiteScore:

3,700

CategoríaPosiciónCuartilTercilDecil
General Physics and Astronomy37/190Q1T1D2

SJR año:

2011

Factor de Impacto:

1,374

CategoríaPosiciónCuartilTercilDecil
Physics and Astronomy (miscellaneous)35/232Q1T1D2
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# Autor
1Ruterana, P. 
2Lacroix, B.
3Lorenz, K.