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Mechanism of GaN quantum dot overgrowth by Al0.5Ga0.5N: Strain evolution and phase separation

Korytov, M ; Budagosky, JA; Brault, J; Huault, T; Benaissa, M; Neisius, T; Rouviere, JL; Vennegues, P

Tipo: Artículo
Año de Publicación: 2012
Volumen: 111
Número: 8
Número de artículo: 084309
Fuente Nº Citas Fecha Actualización
scopus518-05-2024
wos518-05-2024
Dimensions
PlumX
Altmetric

Año: 2012

Journal Impact Factor (JIF): 2,21

CategoríaEdiciónPosiciónCuartilTercilDecil
PHYSICS, APPLIEDSCIE32/128Q1T1D3

Año: 2017

Journal Citation Indicator (JCI): 0,600

CategoríaPosiciónCuartilTercilDecilPercentil
PHYSICS, APPLIED65/165Q2T2D460,91

Año:

2012

CiteScore:

3,800

CategoríaPosiciónCuartilTercilDecil
General Physics and Astronomy35/191Q1T1D2

SJR año:

2012

Factor de Impacto:

1,312

CategoríaPosiciónCuartilTercilDecil
Physics and Astronomy (miscellaneous)38/243Q1T1D2
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Agencia Código de Proyecto
ANR-PNANO-
Nota: los datos sobre financiación provienen de la WOS
# Autor
1Korytov, M 
2Budagosky, JA
3Brault, J
4Huault, T
5Benaissa, M
6Neisius, T
7Rouviere, JL
8Vennegues, P