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Mechanism of GaN quantum dots capped with AlN: an AFM, electron microscopy, and x-ray anomalous diffraction study

Coraux, J. ; Amstatt, B.; Budagoski, J.A.; Bellet-Amalric, E.; Rouviere, J.L.; Favre-Nicolin, V.; Proietti, M.G.; Renevier, H.; Daudin, B.

Tipo: Artículo
Año de Publicación: 2006
Volumen: 74
Número: 19
Número de artículo: 195302
Fuente Nº Citas Fecha Actualización
scopus2329-10-2024
wos2129-10-2024
Dimensions
PlumX
Altmetric

Año: 2006

Journal Impact Factor (JIF): 3.1070

CategoríaEdiciónPosiciónCuartilTercilDecil
PHYSICS, CONDENSED MATTERSCIE10/58Q1T1D2

Año: 2017

Journal Citation Indicator (JCI): 1,000

CategoríaPosiciónCuartilTercilDecilPercentil
MATERIALS SCIENCE, MULTIDISCIPLINARY69/343Q1T1D280,03
PHYSICS, APPLIED31/165Q1T1D281,52
PHYSICS, CONDENSED MATTER15/74Q1T1D280,41

Año:

2011

CiteScore:

6,400

CategoríaPosiciónCuartilTercilDecil
Condensed Matter Physics24/383Q1T1D1
Electronic, Optical and Magnetic Materials16/183Q1T1D1

SJR año:

2006

Factor de Impacto:

2,620

CategoríaPosiciónCuartilTercilDecil
Condensed Matter Physics12/371Q1T1D1
Electronic, Optical and Magnetic Materials7/155Q1T1D1
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# Autor
1Coraux, J. 
2Amstatt, B.
3Budagoski, J.A.
4Bellet-Amalric, E.
5Rouviere, J.L.
6Favre-Nicolin, V.
7Proietti, M.G.
8Renevier, H.
9Daudin, B.