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Influence of strain in the reduction of the internal electric field in GaN/AIN quantum dots grown on a-plane 6H-SiC

Cros, A. ; Budagosky, J.A.; García-Cristóbal, A.; Garro, N.; Cantarero, A.; Founta, S.; Mariette, H.; Daudin, B.

Tipo: Artículo
Año de Publicación: 2006
Volumen: 243
Número: 7
Páginas: 1499 - 1507
Fuente Nº Citas Fecha Actualización
scopus1318-05-2024
wos1118-05-2024
Dimensions
PlumX
Altmetric

Año: 2006

Journal Impact Factor (JIF): 0,967

CategoríaEdiciónPosiciónCuartilTercilDecil
PHYSICS, CONDENSED MATTERSCIE39/58Q3T2D7

Año: 2017

Journal Citation Indicator (JCI): 0,410

CategoríaPosiciónCuartilTercilDecilPercentil
PHYSICS, CONDENSED MATTER46/74Q3T2D738,51

Año:

2011

CiteScore:

2,500

CategoríaPosiciónCuartilTercilDecil
Condensed Matter Physics137/383Q2T2D4
Electronic, Optical and Magnetic Materials68/183Q2T2D4

SJR año:

2006

Factor de Impacto:

0,741

CategoríaPosiciónCuartilTercilDecil
Condensed Matter Physics138/371Q2T2D4
Electronic, Optical and Magnetic Materials55/155Q2T2D4
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# Autor
1Cros, A. 
2Budagosky, J.A.
3García-Cristóbal, A.
4Garro, N.
5Cantarero, A.
6Founta, S.
7Mariette, H.
8Daudin, B.