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Equivalence between bias and external fields in latgs crystal using the scaled relation of dielectrical susceptibility

Mateos, F.; Cerro, J. D.

Tipo: Artículo
Año de Publicación: 1995
Volumen: 20
Número: 3-4
Páginas: 113 - 118
Fuente Nº Citas Fecha Actualización
scopus329-10-2024
Dimensions
PlumX
Altmetric

Año: 1997

Journal Impact Factor (JIF): 0.440

CategoríaEdiciónPosiciónCuartilTercilDecil
PHYSICS, CONDENSED MATTERSCIE44/45Q4T3D10

Año: 2017

Journal Citation Indicator (JCI): 0,100

CategoríaPosiciónCuartilTercilDecilPercentil
PHYSICS, CONDENSED MATTER72/74Q4T3D103,38

Año:

2011

CiteScore:

1,500

CategoríaPosiciónCuartilTercilDecil
Condensed Matter Physics210/383Q3T2D6
Electronic, Optical and Magnetic Materials104/183Q3T2D6

SJR año:

1999

Factor de Impacto:

0,362

CategoríaPosiciónCuartilTercilDecil
Condensed Matter Physics204/311Q3T2D7
Electronic, Optical and Magnetic Materials85/137Q3T2D7
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# Autor Afiliación
1Mateos, F.CSIC-USE - Instituto de Ciencia de Materiales de Sevilla (ICMS) (Spain)
2Cerro, J. D.CSIC-USE - Instituto de Ciencia de Materiales de Sevilla (ICMS) (Spain)