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A novel 10T SRAM bit-cell with high static noise margin and low power consumption for binary In-Memory Computing

Khosravi, Hossein; Carmona Galán, Ricardo; Fernández-Berni, Jorge; Kandalaft, Nabeeh

Tipo: Ponencia
Año de Publicación: 2024
Páginas: 728 - 733
Fuente Nº Citas Fecha Actualización
scopus006-05-2024
Dimensions
PlumX
Altmetric
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# Autor Afiliación
1Khosravi, HosseinCoreHW Oy (Finland)
2Carmona Galán, RicardoCSIC - Instituto de Microelectronica de Sevilla (IMS-CNM) (Spain)
3Fernández-Berni, JorgeCSIC - Instituto de Microelectronica de Sevilla (IMS-CNM) (Spain)
4Kandalaft, NabeehGrand Valley State University (United States)