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Deposition of thin films of SiOxCyH in a surfatron microwave plasma reactor with hexamethyldisiloxane as precursor

Walkiewicz-Pietrzykowska, Agnieszka ; Cotrino, José; González-Elipe, Agustin R.

Tipo: Artículo
Año de Publicación: 2005
Volumen: 11
Número: 6-7
Páginas: 317 - 323
Fuente Nº Citas Fecha Actualización
scopus2930-11-2024
wos2801-12-2024
Dimensions
PlumX
Altmetric

Año: 2005

Journal Impact Factor (JIF): 2.3670

CategoríaEdiciónPosiciónCuartilTercilDecil
MATERIALS SCIENCE, COATINGS & FILMSSCIE1/19Q1T1D1
PHYSICS, CONDENSED MATTERSCIE12/60Q1T1D2
ELECTROCHEMISTRYSCIE6/21Q2T1D3

Año:

2011

CiteScore:

2,900

CategoríaPosiciónCuartilTercilDecil
General Chemistry86/351Q1T1D3
Surfaces and Interfaces15/49Q2T1D4
Process Chemistry and Technology13/36Q2T2D4

SJR año:

2005

Factor de Impacto:

1,295

CategoríaPosiciónCuartilTercilDecil
Chemistry (miscellaneous)42/365Q1T1D2
Process Chemistry and Technology5/49Q1T1D2
Surfaces and Interfaces13/53Q1T1D3
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# Autor Afiliación
1Walkiewicz-Pietrzykowska, Agnieszka CSIC-USE - Instituto de Ciencia de Materiales de Sevilla (ICMS); Institute - Center for Molecular and Macromolecular Studies of the Polish Academy of Sciences (Spain)
2Cotrino, JoséCSIC-USE - Instituto de Ciencia de Materiales de Sevilla (ICMS) (Spain)
3González-Elipe, Agustin R.CSIC-USE - Instituto de Ciencia de Materiales de Sevilla (ICMS) (Spain)