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Scaling behavior and mechanism of formation of SiO2 thin films grown by plasma-enhanced chemical vapor deposition

Yanguas-Gil, A. ; Cotrino, J.; Walkiewicz-Pietrzykowska, A.; González-Elipe, A. R.

Tipo: Artículo
Año de Publicación: 2007
Volumen: 76
Número: 7
Número de artículo: 075314
Páginas: 075314-1 - 075314-8
Acceso abierto: Vía verde
Fuente Nº Citas Fecha Actualización
scopus2721-12-2024
wos2021-12-2024
Dimensions
PlumX
Altmetric

Año: 2007

Journal Impact Factor (JIF): 3.1720

CategoríaEdiciónPosiciónCuartilTercilDecil
PHYSICS, CONDENSED MATTERSCIE9/61Q1T1D2

Año: 2017

Journal Citation Indicator (JCI): 1,000

CategoríaPosiciónCuartilTercilDecilPercentil
MATERIALS SCIENCE, MULTIDISCIPLINARY69/343Q1T1D280,03
PHYSICS, APPLIED31/165Q1T1D281,52
PHYSICS, CONDENSED MATTER15/74Q1T1D280,41

Año:

2011

CiteScore:

6,400

CategoríaPosiciónCuartilTercilDecil
Condensed Matter Physics24/383Q1T1D1
Electronic, Optical and Magnetic Materials16/183Q1T1D1

SJR año:

2007

Factor de Impacto:

2,892

CategoríaPosiciónCuartilTercilDecil
Condensed Matter Physics15/377Q1T1D1
Electronic, Optical and Magnetic Materials6/158Q1T1D1
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# Autor Afiliación
1Yanguas-Gil, A. Universidad de Sevilla; University of Illinois at Urbana-Champaign (United States)
2Cotrino, J.Universidad de Sevilla (Spain)
3Walkiewicz-Pietrzykowska, A.Universidad de Sevilla (Spain)
4González-Elipe, A. R.Universidad de Sevilla (Spain)