Ver Publicación - Prisma - Unidad de Bibliometría

Tunable Linear MOS Resistors Using Quasi-Floating-Gate Techniques

Torralba, A ; Lujan-Martinez, C; Carvajal, RG; Galan, J; Pennisi, M; Ramirez-Angulo, J; Lopez-Martin, A

Tipo: Artículo
Año de Publicación: 2009
Volumen: 56
Número: 1
Páginas: 41 - 45
Fuente Nº Citas Fecha Actualización
scopus3908-10-2024
wos3405-10-2024
Dimensions
PlumX
Altmetric

Año: 2009

Journal Impact Factor (JIF): 1.320

CategoríaEdiciónPosiciónCuartilTercilDecil
ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONICSCIE85/246Q2T2D4

Año: 2017

Journal Citation Indicator (JCI): 0,840

CategoríaPosiciónCuartilTercilDecilPercentil
ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC110/306Q2T2D464,22

Año:

2016

CiteScore:

3,200

CategoríaPosiciónCuartilTercilDecil
Electrical and Electronic Engineering174/654Q2T1D3

SJR año:

2009

Factor de Impacto:

0,807

CategoríaPosiciónCuartilTercilDecil
Electrical and Electronic Engineering109/598Q1T1D2
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Agencia Código de Proyecto
Andalusian Consejeria de Innovacion, Ciencia y EmpresaTIC2005-250; TIC2006-01500
FEDERTIC2005-08091-C03-031MIC; TEC2007-67460-C03-02
Spanish Ministerio de Educacion y Ciencia-
Nota: los datos sobre financiación provienen de la WOS
# Autor Afiliación
1Torralba, A Universidad de Sevilla (Spain)
2Lujan-Martinez, CUniversidad de Sevilla (Spain)
3Carvajal, RGUniversidad de Sevilla (Spain)
4Galan, JUniversidad de Huelva (Spain)
5Pennisi, MUniversità degli Studi di Catania (Italy)
6Ramirez-Angulo, JNew Mexico State University (United States)
7Lopez-Martin, AUniversidad Pública de Navarra (Spain)