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Linearisation of MOS resistors using capacitive gate voltage averaging

Ramírez-Angulo, J. ; Sawant, M. S.; Carvajal, R. G.; López-Martín, A.

Tipo: Artículo
Año de Publicación: 2005
Volumen: 41
Número: 9
Páginas: 511 - 512
Fuente Nº Citas Fecha Actualización
scopus2121-12-2024
wos1921-12-2024
Dimensions
PlumX
Altmetric

Año: 2005

Journal Impact Factor (JIF): 1.0160

CategoríaEdiciónPosiciónCuartilTercilDecil
ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONICSCIE70/208Q2T2D4

Año: 2017

Journal Citation Indicator (JCI): 0,480

CategoríaPosiciónCuartilTercilDecilPercentil
ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC177/306Q3T2D642,32

Año:

2011

CiteScore:

2,500

CategoríaPosiciónCuartilTercilDecil
Electrical and Electronic Engineering162/589Q2T1D3

SJR año:

2005

Factor de Impacto:

1,014

CategoríaPosiciónCuartilTercilDecil
Electrical and Electronic Engineering64/504Q1T1D2
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# Autor Afiliación
1Ramírez-Angulo, J. New Mexico State University (United States)
2Sawant, M. S.New Mexico State University (United States)
3Carvajal, R. G.Universidad de Sevilla; New Mexico State University (United States)
4López-Martín, A.Universidad Pública de Navarra; New Mexico State University (United States)