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Polyimide sacrificial layer for SOISG-MOSFET pressure sensor

Fernández-Bolaños, M. ; Abelé, N.; Pott, V.; Bouvet, D.; Racine, G. A.; Quero, J. M.; Ionescu, A. M.

Tipo: Artículo
Año de Publicación: 2006
Volumen: 83
Número: 4-9
Páginas: 1185 - 1188
Fuente Nº Citas Fecha Actualización
scopus1513-11-2024
wos1213-11-2024
Dimensions
PlumX
Altmetric

Año: 2006

Journal Impact Factor (JIF): 1.3980

CategoríaEdiciónPosiciónCuartilTercilDecil
ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONICSCIE48/206Q1T1D3
OPTICSSCIE20/56Q2T2D4
PHYSICS, APPLIEDSCIE34/84Q2T2D4
NANOSCIENCE & NANOTECHNOLOGYSCIE18/32Q3T2D6

Año: 2017

Journal Citation Indicator (JCI): 0,540

CategoríaPosiciónCuartilTercilDecilPercentil
ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC165/306Q3T2D646,24
NANOSCIENCE & NANOTECHNOLOGY60/116Q3T2D648,71
OPTICS54/106Q3T2D649,53
PHYSICS, APPLIED73/165Q2T2D556,06

Año:

2011

CiteScore:

2,800

CategoríaPosiciónCuartilTercilDecil
Electrical and Electronic Engineering146/589Q1T1D3
Surfaces, Coatings and Films21/91Q1T1D3
Atomic and Molecular Physics, and Optics43/141Q2T1D4
Condensed Matter Physics120/383Q2T1D4
Electronic, Optical and Magnetic Materials56/183Q2T1D4

SJR año:

2006

Factor de Impacto:

0,966

CategoríaPosiciónCuartilTercilDecil
Electrical and Electronic Engineering75/527Q1T1D2
Surfaces, Coatings and Films20/104Q1T1D2
Atomic and Molecular Physics, and Optics31/128Q1T1D3
Condensed Matter Physics94/371Q2T1D3
Electronic, Optical and Magnetic Materials40/155Q2T1D3
Nanoscience and Nanotechnology19/39Q2T2D5
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# Autor Afiliación
1Fernández-Bolaños, M. Universidad de Sevilla; Ecole Polytechnique Fédérale de Lausanne (Switzerland)
2Abelé, N.Ecole Polytechnique Fédérale de Lausanne (Switzerland)
3Pott, V.Ecole Polytechnique Fédérale de Lausanne (Switzerland)
4Bouvet, D.Ecole Polytechnique Fédérale de Lausanne (Switzerland)
5Racine, G. A.Ecole Polytechnique Fédérale de Lausanne (Switzerland)
6Quero, J. M.Universidad de Sevilla (Spain)
7Ionescu, A. M.Ecole Polytechnique Fédérale de Lausanne (Switzerland)