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Charge state of vacancy defects in Eu-doped GaN

Mitchell, B. ; Cruz Hernandez, Norge; Lee, D.; Koizumi, A.; Fujiwara, Y.; Dierolf, V.

Tipo: Artículo
Año de Publicación: 2017
Volumen: 96
Número: 6
Acceso abierto: Vía híbrida
Fuente Nº Citas Fecha Actualización
scopus1817-02-2024
wos1917-02-2024
Dimensions
PlumX
Altmetric

Año: 2017

Journal Impact Factor (JIF): 3,813

CategoríaEdiciónPosiciónCuartilTercilDecil
PHYSICS, CONDENSED MATTERSCIE18/67Q2T1D3

Año: 2017

Journal Citation Indicator (JCI): 1,000

CategoríaPosiciónCuartilTercilDecilPercentil
MATERIALS SCIENCE, MULTIDISCIPLINARY69/343Q1T1D280,03
PHYSICS, APPLIED31/165Q1T1D281,52
PHYSICS, CONDENSED MATTER15/74Q1T1D280,41

Año:

2017

CiteScore:

6,500

CategoríaPosiciónCuartilTercilDecil
Condensed Matter Physics32/395Q1T1D1
Electronic, Optical and Magnetic Materials27/225Q1T1D2

SJR año:

2017

Factor de Impacto:

1,604

CategoríaPosiciónCuartilTercilDecil
Condensed Matter Physics28/398Q1T1D1
Electronic, Optical and Magnetic Materials24/211Q1T1D2
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Agencia Código de Proyecto
Japan Society for the Promotion of Science17H01264; JP24226009
National Science Foundation GrantECCS-1140038
Photonics Center at Osaka University-
Nota: los datos sobre financiación provienen de la WOS
# Autor Afiliación
1Mitchell, B. Osaka University; West Chester University (United States)
2Cruz Hernandez, NorgeLehigh University (United States)
3Lee, D.Pohang University of Science and Technology (South Korea)
4Koizumi, A.Osaka University (Japan)
5Fujiwara, Y.Osaka University (Japan)
6Dierolf, V.Lehigh University (United States)