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Graphene growth by molecular beam epitaxy using a solid carbon source

Moreau, E. ; Ferrer, F. J.; Vignaud, D.; Godey, S.; Wallart, X.

Tipo: Artículo
Año de Publicación: 2010
Volumen: 207
Número: 2
Páginas: 300 - 303
Fuente Nº Citas Fecha Actualización
scopus8929-10-2024
wos7729-10-2024
Dimensions
PlumX
Altmetric

Año: 2010

Journal Impact Factor (JIF): 1.4720

CategoríaEdiciónPosiciónCuartilTercilDecil
MATERIALS SCIENCE, MULTIDISCIPLINARYSCIE87/225Q2T2D4
PHYSICS, APPLIEDSCIE54/118Q2T2D5
PHYSICS, CONDENSED MATTERSCIE31/68Q2T2D5

Año: 2017

Journal Citation Indicator (JCI): 0,460

CategoríaPosiciónCuartilTercilDecilPercentil
MATERIALS SCIENCE, MULTIDISCIPLINARY185/343Q3T2D646,21
PHYSICS, APPLIED95/165Q3T2D642,73
PHYSICS, CONDENSED MATTER41/74Q3T2D645,27

Año:

2011

CiteScore:

2,700

CategoríaPosiciónCuartilTercilDecil
Materials Chemistry57/233Q1T1D3
Surfaces, Coatings and Films23/91Q1T1D3
Electrical and Electronic Engineering151/589Q2T1D3
Condensed Matter Physics127/383Q2T1D4
Electronic, Optical and Magnetic Materials59/183Q2T1D4
Surfaces and Interfaces17/49Q2T2D4

SJR año:

2010

Factor de Impacto:

0,871

CategoríaPosiciónCuartilTercilDecil
Electrical and Electronic Engineering95/613Q1T1D2
Materials Chemistry51/246Q1T1D3
Surfaces, Coatings and Films24/109Q1T1D3
Electronic, Optical and Magnetic Materials50/187Q2T1D3
Condensed Matter Physics126/405Q2T1D4
Surfaces and Interfaces21/54Q2T2D4
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# Autor Afiliación
1Moreau, E. IEMN Institut d'Electronique de Microélectronique et de Nanotechnologie (France)
2Ferrer, F. J.IEMN Institut d'Electronique de Microélectronique et de Nanotechnologie (France)
3Vignaud, D.IEMN Institut d'Electronique de Microélectronique et de Nanotechnologie (France)
4Godey, S.IEMN Institut d'Electronique de Microélectronique et de Nanotechnologie (France)
5Wallart, X.IEMN Institut d'Electronique de Microélectronique et de Nanotechnologie (France)