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Procedimiento para la preparación de capas finas porosas de óxidos inorgánicos.

Tipo: Patente
Titulares:
UNIVERSIDAD DE SEVILLA (50%)
CONSEJO SUPERIOR DE INVESTIGACIONES CIENTIFICAS (CSIC) (50%)
Inventores:
Barranco Quero,Angel
Yubero Valencia, Francisco
Espinos Manzorro, Juan Pedro
Rodriguez Gonzalez-Elipe, Agustin
Solicitud
19-04-2001
Concesión
24-02-2005
Familia
PCT/ES2002/000193
Procedimiento para la preparación de capas finas porosas de óxidos inorgánicos.El objeto de la presente invención es un procedimiento para la preparación de capas finas de óxidos inorgánicos sobre substratos mediante la deposición desde fase vapor asistida por plasma que se diferencia de los procedimientos habituales porque se intercalan entre las sucesivas etapas de deposición del óxido inorgánico etapas de deposición de capas orgánicas, de forma que durante la etapa de deposición de la capa inorgánica se produzca la eliminación por combustión de la parte orgánica previamente depositada. El procedimiento es de interés en el desarrollo de membranas selectivas para separación y purificación de fluidos así como para la fabricación y modificación de sensores de gases y de humedad y de componentes electrónicos.
Materia: Técnicas industriales Diversas; Transportes / Química; Metalurgia
CIP: B01D71/02 (2006.01); C23C16/40 (2006.01); C23C16/455 (2006.01)
CPC: C23C16/50 (EP); B01D71/024 (EP); C23C16/401 (EP)